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為縮小基地台射頻單元尺寸、減輕重量，並且實現最佳效能，恩智浦半導體（NXP）宣布將整合氮化鎵（GaN）技術至恩智浦多 5G 多晶片模組。恩智浦新型 5G 多晶片模組預計 2021 年第 3 季度供應樣品，並將於稍晚開始量產；此外，恩智浦將推出以這些產品為基礎的 RapidRF 系列射頻類比前端電路版設計，加速 5G 系統的設計。
恩智浦表示，降低能源消耗（energy consumption）是電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在 2.6GHz 頻率下將產品組合效率提高至 52%，比上一代模組高出 8%。透過在單個裝置中採用專利組合 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化鎵技術，進而提高效能，可提供 400MHz 的瞬時頻寬，僅用一個功率放大器即可完成寬頻射頻設計。
結合氮化鎵的全新 5G 多晶片模組將使射頻開發人員減少無線電單元的尺寸和重量，幫助行動網路營運商降低在蜂窩式基地台和屋頂部署 5G 的成本。不僅如此，在單一封裝中，模組還整合了多級（multi-stage）傳輸鏈（transmit chain）、50 歐姆（ohm）輸入/輸出匹配網路和 Doherty 設計。
恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理 Paul Hart 表示，恩智浦開發了專用於 5G 基礎設施的獨特技術工具箱（toolbox），包括專有的 LDMOS、氮化鎵和 SiGe，以及先進封裝和射頻設計 IP，讓我們能夠運用每個元件的優勢，並針對每個使用情境以最佳方式將這些優勢結合在一起。
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