澎湃P1充電晶片 將由小米12 Pro手機首發採用

小米跨足晶片設計，在 2017 年推出首款手機 SoC「澎湃 S1」，不過第二代產品遲遲沒有下文；沒想到間隔 4 年，才又推出新產品「澎湃 C1」，但卻不是 SoC，而是 ISP 影像處理器。稍早，小米預告即將推出的「澎湃 P1」將運用在小米 12 Pro 手機，這是小米自主研發的充電晶片，能夠讓手機以單電池實現 120W 有線快充。

目前市面上支援 120W 有線充電速度的手機都是採用雙電池設計，而這樣的設計也影響到手機內部空間利用。小米最新推出的澎湃秒充系統能夠實現單電池 120W 有線秒充，同時可以節省手機空間，讓手機更加輕薄。小米 120W 澎湃秒充利用兩顆小米自主研發的智慧充電晶片「澎湃 P1」，取代傳統的 5 電荷泵複雜結構，將輸入手機的高壓電能，更高效的轉換為可以直充電池的大電流。

澎湃 P1 作為首個諧振充電晶片，擁有自適應開關頻率的 4：1 超高效率架構，諧振拓撲效率高達 97.5%，非諧振拓撲效率為96.8%，熱損耗直線下降 30% 。傳統電荷泵只需要兩種工作模式（變壓、直通），而澎湃 P1 需要支援 1：1、2:1 與 4：1 轉換模式，所有的模式都需要支援雙嚮導通，這代表總共需要 15 種排列組合的模式切換控制，是傳統電荷泵的 7 倍。

正向 1：1 模式能讓手機開啟螢幕時的充電效率更高，正向 2：1 模式可以相容更多的充電器，而正向 4：1 能夠支援 120W 澎湃秒充，反向 1：2 / 1：4 模式可以支援高功率反向充電。

澎湃 P1 同時也是小米充電效率的 4：1 充電晶片，可以做到 0.83W / mm² 超高功率密度，LDMOS 能達到業界領先超低 1.18mΩmm² RSP。而澎湃 P1 晶片內部需要用到 3 種不同耐壓的 FLY 電容，每顆電容需要獨立的開短路保護電路，每種工作模式又需要嚴格控制預充電壓，功率管數量接近傳統電荷泵的兩倍。並且因為拓撲設計和功能複雜度的提升，每片澎湃 P1 在出廠時都需要通過 2,500 多項測試，遠高於傳統電荷泵。

小米指出，在澎湃 P1 幫助下，得以對電路進行大幅度簡化，澎湃 P1 本身的超高效率意味著發熱量處在理想範圍內，可以維持更長時間的滿功率運行，且支持無線充電。即將在 12 月 28 日發表的小米 12 Pro 將會是第一款搭載澎湃 P1 的智慧型手機，支援有線 120W 澎湃秒充、50W 無線秒充與 10W 無線反向充電等功能。